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一、高频覆铜板(CCL)和环氧塑封料(EMC)优先选用球形硅微粉(高纯二氧化硅),核心原因在于其独特的球形物理形态与极致的化学纯度,能够完美解决高端电子元器件在“信号传输、散热、尺寸稳定性及可靠性”方面的技术瓶颈。具体优势体现在以下四个核心维度:
流动性与高填充:球形硅微粉表面光滑、流动性极佳,在树脂体系中能实现最紧密的堆积。其重量填充比可高达90%以上,远高于角形硅微粉。
热匹配与防开裂:高填充率能显著降低覆铜板和塑封料的线性膨胀系数,使其热膨胀特性更接近单晶硅芯片,从而有效消除热应力,防止芯片在冷热冲击下开裂或基板翘曲分层。
低介电损耗:在高频高速覆铜板中,球形硅微粉作为功能性填料,能够呈现优异的介电常数(Dk)和极低的介质损耗因子(Df),从而有效提高电子产品中的信号传输速度和质量,满足5G和AI硬件的需求。
界面结合紧密:经过表面改性的球形硅微粉能解决有机-无机层缝隙问题,避免电性能不均匀,保障高频信号的完整性。
应力集中最小化:球形颗粒能将材料内部应力均匀分布,其制成的塑封料应力集中仅为角形粉的60%,大幅提高了封装强度,使运输和使用中不易产生机械损伤。
延长模具寿命:球形粉摩擦系数小,对注塑模具的磨损极低,可使模具使用寿命延长一倍以上,显著降低了封装厂的生产成本。
化学稳定性:高纯二氧化硅(纯度达99.9%以上)具备高耐热、高绝缘、耐酸碱腐蚀等特性,能有效保护芯片免受外部水分和尘埃侵蚀。
防止软错误:在超大规模集成电路中,极微量的放射性元素会导致芯片工作时产生“软错误”(数据失真)。高纯球形硅微粉严格控制铀、钍等放射性元素含量,是高端芯片封装不可或缺的关键材料。



1.纯度:电子级 SiO₂≥99.9%,低离子含量
2.粒径:微米级、亚微米级,按需搭配粒度分布
3.球化率:球化率越高流动性越好(高端产品≥95%)
4.表面处理:偶联剂改性(硅烷),提升与环氧树脂相容性
5.Dk/Df、CTE、吸水率
