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基体:熔融非晶 SiO₂,纯度≥99.9%,微米级(1‑45μm),球形颗粒;区别于纳米球形二氧化硅。
一、高纯微米球形二氧化硅介电性能
核心参数参考
介电常数 (Dk):3.7‑4.0(1MHz‑1GHz,室温)
介电损耗 (Df):0.0002‑0.0008,损耗极低
体积电阻率:>10¹⁴ Ω・cm,绝缘优异
击穿强度:高,高纯低杂质无导电杂质离子
二、高纯微米球形二氧化硅性能特点
1.低介电、低损耗,在无机填料里属于中低 Dk 水平,远低于氧化铝、氧化镁;用于树脂基体可以拉低复合材料整体介电常数与介电损耗,适合高频基板、电子封装。
2.纯度影响极大:钾、钠、铁等金属杂质升高,介电损耗会明显变大,高频下信号损耗加剧,电子领域必须高纯牌号。
3.粒径影响:微米球形相比纳米球形,介电损耗更低更稳定;纳米比表面积大,表面羟基多,吸水后 Df 容易抬升。
4.填充规律:在环氧树脂、PPO、BT 树脂中,填充量提升,复合材料 Dk 缓慢上升,Df 维持低位;球形颗粒分散好,不易形成导电通路。
局限:不属于超低介电材料(Dk<3),做超高频低介电基板,需要搭配空心球形二氧化硅。

三、高纯微米球形二氧化硅隔热(导热)性能
注意:二氧化硅本身固态导热不算特别低,球形硅微粉是靠颗粒堆积气孔实现隔热,材料本征与复合材料导热要分开看
1.本征熔融 SiO₂固态导热系数:约1.4‑1.6 W/(m·K),本身不算隔热材料。
2.粉体堆积层(松散粉料):颗粒之间大量空气,导热可降到 0.2‑0.4 W/(m·K),体现出隔热效果。
3.树脂填充复合材料:
低填充:10‑30% 填充,导热 0.3‑0.5 W/(m・K),属于普通绝缘隔热;
高紧密填充:堆积致密,气孔变少,导热上升到 0.6‑0.9 W/(m・K),隔热能力下降,主要起降膨胀、增强作用。
4.关键结论
1.实心高纯微米球形二氧化硅不能做高效隔热填料;想要优异隔热,要用空心球形二氧化硅(空心硅微粉),空心内部密闭空气,复合材料导热可以做到 0.15‑0.25 W/(m・K)。
2.实心微米球形氧化硅更多是绝缘、降 CTE、调介电,隔热是附带效果,依靠体系气孔,不是材料本身。
四、对比小结(实心微米球形 vs 空心球形二氧化硅)
项目 | 高纯实心微米球形 SiO₂ | 空心球形 SiO₂ |
介电常数 Dk | 3.7‑4.0 | 2.5‑3.2 |
介电损耗 Df | 极低 | 更低 |
本征导热系数 | 1.4‑1.6 W/(m·K) | 壳层 + 空腔,整体导热低 |
复合材料隔热效果 | 一般,靠气孔 | 优秀,主打隔热减重 |
主要用途 | CCL 覆铜板、电子封装、环氧灌封 | 隔热涂层、低介电轻量化复合材料 |
五、高纯微米球形二氧化硅实际应用提示
1.高频电子、覆铜板、电子封装:优先选高纯实心微米球形二氧化硅,介电稳定、低损耗、降低热膨胀;
2.需要同时兼顾低介电 + 隔热减重:选用空心球形二氧化硅;
3.水分、表面羟基会劣化介电性能,表面硅烷改性可降低吸水,稳定 Dk/Df;
4.耐火隔热材料中,实心球形硅微粉不作为主隔热骨料,更多用来优化致密度、热震稳定性。

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