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高纯微米球形氧化硅的介电性能和隔热性能表现如何?

文章来源:https://www.mcyunmu.com 发布时间:2026-08-15 浏览次数:6

高纯微米球形二氧化硅球形硅微粉)介电性能 & 隔热性能

基体:熔融非晶 SiO,纯度≥99.9%,微米级(145μm),球形颗粒;区别于纳米球形二氧化硅

一、高纯微米球形二氧化硅介电性能

核心参数参考

介电常数 (Dk):3.74.0(1MHz1GHz,室温)

介电损耗 (Df):0.00020.0008,损耗极低

体积电阻率:>10¹ Ωcm,绝缘优异

击穿强度:高,高纯低杂质无导电杂质离子

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二、高纯微米球形二氧化硅性能特点

1.低介电、低损耗,在无机填料里属于中低 Dk 水平,远低于氧化铝、氧化镁;用于树脂基体可以拉低复合材料整体介电常数与介电损耗,适合高频基板、电子封装。

2.纯度影响极大:钾、钠、铁等金属杂质升高,介电损耗会明显变大,高频下信号损耗加剧,电子领域必须高纯牌号。

3.粒径影响:微米球形相比纳米球形,介电损耗更低更稳定;纳米比表面积大,表面羟基多,吸水后 Df 容易抬升。

4.填充规律:在环氧树脂、PPO、BT 树脂中,填充量提升,复合材料 Dk 缓慢上升,Df 维持低位;球形颗粒分散好,不易形成导电通路。

局限:不属于超低介电材料(Dk<3),做超高频低介电基板,需要搭配空心球形二氧化硅。

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三、高纯微米球形二氧化硅隔热(导热)性能

注意:二氧化硅本身固态导热不算特别低,球形硅微粉是靠颗粒堆积气孔实现隔热,材料本征与复合材料导热要分开看

1.本征熔融 SiO固态导热系数:约1.41.6 W/(m·K),本身不算隔热材料。

2.粉体堆积层(松散粉料):颗粒之间大量空气,导热可降到 0.20.4 W/(m·K),体现出隔热效果。

3.树脂填充复合材料:

低填充:1030% 填充,导热 0.30.5 W/(mK),属于普通绝缘隔热;

高紧密填充:堆积致密,气孔变少,导热上升到 0.60.9 W/(mK),隔热能力下降,主要起降膨胀、增强作用。

4.关键结论

1.实心高纯微米球形二氧化硅不能做高效隔热填料;想要优异隔热,要用空心球形二氧化硅(空心硅微粉),空心内部密闭空气,复合材料导热可以做到 0.150.25 W/(mK)

2.实心微米球形氧化硅更多是绝缘、降 CTE、调介电,隔热是附带效果,依靠体系气孔,不是材料本身。20260810170704_98138

四、对比小结(实心微米球形 vs 空心球形二氧化硅)

项目

      高纯实心微米球形 SiO

空心球形 SiO

介电常数 Dk

3.74.0

2.53.2

介电损耗 Df

极低

更低

本征导热系数

1.41.6 W/(m·K)

      壳层 + 空腔,整体导热低

复合材料隔热效果

一般,靠气孔

优秀,主打隔热减重

主要用途

CCL 覆铜板、电子封装、环氧灌封

隔热涂层、低介电轻量化复合材料

五、高纯微米球形二氧化硅实际应用提示

1.高频电子、覆铜板、电子封装:优先选高纯实心微米球形二氧化硅,介电稳定、低损耗、降低热膨胀;

2.需要同时兼顾低介电 + 隔热减重:选用空心球形二氧化硅;

3.水分、表面羟基会劣化介电性能,表面硅烷改性可降低吸水,稳定 Dk/Df;

4.耐火隔热材料中,实心球形硅微粉不作为主隔热骨料,更多用来优化致密度、热震稳定性。

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